文章詳目資料
先進工程學刊
加入收藏
下載文章
| 篇名 | 利用熱氧法改善矽晶圓之表面金字塔圓潤角結構 |
|---|---|
| 卷期 | 11:4 |
| 並列篇名 | Using Thermal Oxidation to Fabricate Surface Texture with Low Sharpness on Single-Crystal Silicon |
| 作者 | 賴世偉 、 田偉辰 、 朱安國 |
| 頁次 | 301-307 |
| 關鍵字 | 氫氧化鉀蝕刻 、 熱氧法 、 金字塔結構 、 etching in KOH solution 、 thermal oxidation 、 silicon texture |
| 出刊日期 | 201610 |
中文摘要
本實驗利用氫氧化鉀鹼性水溶液利用非等向性蝕刻特性對(100)矽晶圓製 做表面金字塔結構，目的在降低反射率，並且我們成功將反射率從29.6%下降 至15.3%，同時利用熱氧法在矽晶圓表面成長二氧化矽並蝕刻，來降低矽晶圓 表面結構的銳利度，成長0.5μm 厚的二氧化矽蝕刻後反射率降低程度稍微下 降，仍有17.7%。
英文摘要
In this study, we try to fabricate surface texture on (100) silicon wafer in KOH alkaline solution by anisotropic etching. Successfully, the weight reflectivity is reduced from 29.6% to 15.3% with surface texture. Then, we use thermal oxidation and soak BOE to lower the sharpness of pyramids and it achieved. However, it slightly affects the reflectivity reduce. After growing 0.5μm SiO2 and etching the weight reflectivity is 17.7%.