文章詳目資料

光連 ： 光電產業及技術情報

  • 加入收藏
  • 下載文章
篇名 8. 新興氧化鎵Ga₂O₃功率半導體之發展現況
卷期 特刊159
作者 洪瑞華 、 澹台富國
頁次 127-143
關鍵字 寬能隙半導體 、 氧化鎵 、 功率元件 、 蕭特基二極體
出刊日期 202103

中文摘要

英文摘要

本卷期文章目次

查看更多

關鍵知識WIKI

相關文獻