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科學與工程技術期刊
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| 篇名 | A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD |
|---|---|
| 卷期 | 2:3 |
| 並列篇名 | 高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究 |
| 作者 | 楊誌欽 |
| 頁次 | 103-110 |
| 關鍵字 | 砷化銦 、 異質結構 、 有機氣相磊晶法 、 應力層 、 InAs 、 Hetero-structure 、 MOCVD 、 Strained layer |
| 出刊日期 | 200609 |
| 篇名 | A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD |
|---|---|
| 卷期 | 2:3 |
| 並列篇名 | 高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究 |
| 作者 | 楊誌欽 |
| 頁次 | 103-110 |
| 關鍵字 | 砷化銦 、 異質結構 、 有機氣相磊晶法 、 應力層 、 InAs 、 Hetero-structure 、 MOCVD 、 Strained layer |
| 出刊日期 | 200609 |