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化工
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中文摘要
本論文針對金L慘雜氧化錚鋁（Gd-doped
Aluminum Zinc Oxide ' Gd : AZO） 透明導電薄膜（transparent conductive thin film)
進行材料特性最測分析，並且探討其與未慘
雜之氧化辦鋁（ZnO: Al2O3 = 98 wt.%:2wt.%） 薄膜光電特性差異。
本實驗利用共灑鍍系統（co-sputter)成長薄膜，以多層膜的方式將主釓摻雜氧化錚鋁薄膜灑鍍在石英玻璃（quartz ）基板上，一共分成五層AZO/Gd/AZO/Gd/AZO，改變Gd與AZO在多層膜結構中厚度比例，得到不同濃度重釓摻雜氧化錚鋁導電薄膜。沉積以後經由適當的熱處理， 利用霍爾量湖
( Hall measurement ）量測電性，且利用氧化錚鋁導電機制合理探討各種量測結果。經由本研究可知，Gd:AZO薄膜因具有良好之電性，因此羊毛替代氧化銦錫(ITO） 來當成透明導電層應用在氮化館發光二極體（GaN-based LED）上的潛力。