在許多研究中已發現當材料尺寸縮減至 奈米尺度時，常會產生許多不同於大面積塊 材時的獨特性質。因此，隨著元件尺寸不斷縮小先進奈米材料的製程技術可預見在未 來微電子及光電元件的應用上將扮演關鍵性 的角色。然而，其中，一維之矽晶奈米結構 材料，由於其在電性、磁性及光學上具備特 殊的性質，使其在場發射元件、生物感測 器、鋰電池、奈米場效電晶體及太陽能光電 等領域有很大的應用潛力[1-10]。此外，矽晶 奈米線的製作與傳統IC製程與設備整合具 有高相容性的優勢，也使其成為未來矽基奈 米元件應用中最主要之材料候選者之一。而 在過去已有許多製備矽晶奈米線之方法，如 熱蒸鍍法[11-14]、脈衝雷射消熔法[15-17]、化 學氣相沉積法[18-21]、以及微影蝕刻法[22-23] 等相繼被發展出來。但這些製程常因其所需 設備成本昂貴、方法技術複雜、耗能且潛藏 爆炸危險等因素，使其在實際元件應用上受 到很大的限制。近來，一種結合金屬催化與 化學蝕刻法製備矽晶奈米線陣列之技術被提 出，此與上述傳統製程方法相較之下有著安 全、價格低廉、步驟簡便且調控容易等優 勢，吸引全球許多學者紛紛投入相關硏究。 因此，以下內容將由傳統製備矽晶奈米線之 技術切入，進而探討如何整合貴重金屬催化 技術及模板法來製備大面積規則有序排列且 尺寸、位置、長度可調控之準直矽晶奈米線 陣列，同時文中也將對所製備奈米線之晶貌 結構及其生成反應機制做深入的分析。