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化工

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篇名 基板表面工程控制成長半導體薄膜與晶體
卷期 58:3
作者 李岱洲
頁次 057-069
出刊日期 201106

中文摘要

半導體晶體與薄膜的成長無論在工業的 應用或者是基礎理論的探討上皆佔有相當重 要的地位,進一步考慮能源的使用與製程對 環境的危害,以水溶液化學在較低溫度製備 半導體材料,是一種較為簡單、便宜的方式,具有研究的潛力。本實驗室專注於I-III-VI族與II-VI族半導體化合物與固態溶 液的製備已經有數年的時間,我們發現無論 是水溶液化學、基板表面的物理化學性質, 以及多成分化合物的相圖,對於所製備材料 的結晶結構與組成,皆具有決定性的影響。 這篇文章將簡單介紹本實驗室的一些研究成 果,說明適當的使用自組裝單分子膜改變基 板表面的官能基與表面能,我們能夠有效的 控制多成分硫化物的組成,在特定的配方甚 至可以不經過燒結的程序,便可以獲得具有 結晶性的半導體薄膜以及單晶晶體。目前的 研究重點便是由熱力學相圖出發,設計固態溶液(I-III-VI/II-VI)的低溫合成方法。希望藉由這篇短文,吸引更多優秀的人才投入相關的研究工作。

英文摘要

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