近年來 III 族氮化物如 (Ga, In, Al) N被應用於發光二極體與光伏電池等光電產業，是因為其具有許多優越的光電性質例如 GaN、AlN 與 InN 分別具有 3.4 eV、6.2 eV 與0.7 eV ，幾乎涵蓋了紫外至紅外光譜，極適合應用於光 電轉換元件。其中 GaN 被應用於 LEDs 與高功率元件產業已多年，但隨著需求與日俱增，傳統以 GaN 為主要發光元件之 可見光 LED 在應用上已出現技術瓶頸，並且逐漸走向紅光 (IR) 與紫外光波段 (UV) 的新領域，因此各界已積極地尋求相關新技術之發展。
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