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光連 ： 光電產業及技術情報
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| 篇名 | 2. GaN半導體材料 |
|---|---|
| 卷期 | 特刊159 |
| 作者 | 翁祐晨 、 黃延儀 |
| 頁次 | 034-050 |
| 關鍵字 | 氮化鎵（GaN） 、 高電子遷移率電晶體（High electron mobility transistor） 、 有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD） |
| 出刊日期 | 202103 |
| 篇名 | 2. GaN半導體材料 |
|---|---|
| 卷期 | 特刊159 |
| 作者 | 翁祐晨 、 黃延儀 |
| 頁次 | 034-050 |
| 關鍵字 | 氮化鎵（GaN） 、 高電子遷移率電晶體（High electron mobility transistor） 、 有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD） |
| 出刊日期 | 202103 |