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光連 ： 光電產業及技術情報
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| 篇名 | 5. GaN元件製程 |
|---|---|
| 卷期 | 特刊159 |
| 作者 | 胡瀚 、 林群雄 |
| 頁次 | 075-088 |
| 關鍵字 | 氮化鎵（GaN） 、 高電子遷移率電晶體（High electron mobility transistor） 、 背部穿孔製程（Back-side via hole） |
| 出刊日期 | 202103 |
| 篇名 | 5. GaN元件製程 |
|---|---|
| 卷期 | 特刊159 |
| 作者 | 胡瀚 、 林群雄 |
| 頁次 | 075-088 |
| 關鍵字 | 氮化鎵（GaN） 、 高電子遷移率電晶體（High electron mobility transistor） 、 背部穿孔製程（Back-side via hole） |
| 出刊日期 | 202103 |