非揮發性記憶體Flash的需求近年來持 續增加，手機、數位相機及隨身碟等可攜 式產品的普遍性更推動此一趨勢。根據 Gartner Dataquest 於 2007 年 3 月的報告，2006 年Flash營收總額已超過200億美元（NOR Flash與NAND Flash合計202.3億美元）。而 Flash受到手機多媒體的需求帶動下，將朝 向更大容量、更高讀寫速度邁進，但目前 所使用的Floating Gate Flash技術在45奈米 (nanometer, nm)之後將會面臨製程微縮上的 瓶頸。 廠商為延續Flash的微縮極限，採取兩 種方式應對：一種是利用Flash的改良技術 「Charge Trapping Flash」（CTF);—種是利用 與Flash完全不同設計原理的非揮發性次世 代記憶體，即本文所討論的鐵電記憶體、 磁阻記憶體及相變化記憶體。除了關心次 世代記憶體對Flash的影響外，也需考量對 其他主流記憶體（如DRAM和SRAM)的市 場衝擊，才能瞭解此類新產品的衝擊。因 此，本文的目的之一是從效能、成本及廠 商狀態各方面，去推測次世代記憶體的未 來發展趨勢。 發展次世代記憶體技術，期望在未來 記憶體市場占有一席之地——特別是非揮 發性記憶體市場——是台灣業者的夢想， 但業者必須採取哪些策略才能實現此一夢 想呢？因此，在描述次世代記憶體領導廠 商之作法後，本文將提出可供台灣業者參 考的建議。

According to the report of Gartner on March 2007, the revenues of Flash in 2006 are above 20 billion US dollars. Affected by the need of multimedia in cell phone, Flash will grow with larger capacity and faster speed of reading and writing. However, the present technology of Floating Gate Flash will meet the bottleneck of lith-ography after 45nm process. Facing the incoming bottleneck in Flash technology, many advanced manufactures invest the research of next generation memories for the future long-term plan of future nonvolatile market, such as Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM), and Phase Change Memory (PCM). These next generation memories have different design principle from present mainstream nonviolatle memory, Flash, and have superior performance. The article presents the market potential and leading companies of these next generation memories, and we hope it can offer some references and suggestions for Taiwan companies who have expectations in future nonvolatile memory market.