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電腦與通訊
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| 篇名 | 互補式金氧半導體電壓控制振盪器實現0.6V 10GHz負電阻基極可調技術 |
|---|---|
| 卷期 | 150 |
| 並列篇名 | A 0.6V 10GHz CMOS VCO Using a Negative-Gm Back-Gate Tuned Technique |
| 作者 | 張智翔 、 李瑜 、 鄭乃禎 |
| 頁次 | 19-27 |
| 關鍵字 | 累積模式 、 壓控振盪器 、 訊號雜訊比 、 頭部空間 、 Accumulation-mode 、 Voltage-controlled Oscillator；VCO 、 Signal-to-noise Ratio； SNR 、 Headroom |
| 出刊日期 | 201304 |
中文摘要
電壓控制振盪器使用負電阻基極可變技術，不需額外的累積模式的可變電容器來做為調變方式，此種技術被實現在0.18微米互補式金氧半導體，進而逹到低電壓，寛 頻範圍以及高頻的操作設計。利用晶體本身的p-n接面電容以及可變化的負電阻，逹到 9.95GHz ~ 11.05GHz 可變頻率範圍，操作電壓為 0.6-V， 以及所消耗的功率為4.35mW，在中心頻率為11GHz，所量測到的相位雜訊為-110.4dBc/Hz @1MHz。
英文摘要
Without an extra on-chip accumulation-mode MOS varactor, a VCO using a negative-transconductance back-gate tuned technique is demonstrated in a standard 0.18-μm CMOS process to achieve low-voltage, wide-range and high-frequency designs. Employing the varied p-n junction capacitance and the varied transconductance in the intrinsic-tuned regime, the VCO provides the tuning range of 9.95 to 11.05 GHz at a 0.6-V supply, and dissipates below 4.35 mW. At 11-GHz carrier frequency, the measured phase noise is −110.4 dBc/Hz at a 1-MHz offset.